Réseaux de neurones bayésiens avec transistors à effet de champ à mémoire ferroélectrique (FeMFETs)
J-25
Doctorat Doctorat complet
- Disciplines
- Photonique
- Laboratoire
- Laboratoire de Composants Mémoires Département Composants Silicium (LETI)
- Institution d'accueil
- UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
Description
De plus en plus de systèmes critiques pour la sécurité reposent sur des fonctions d’intelligence artificielle (IA) qui exigent des capacités de calcul robustes et économe en énergie, souvent dans des environnements marqués par une rareté des données et une forte incertitude. Cependant, les approches traditionnelles de l’IA peinent à quantifier la confiance associée à leurs prédictions, ce qui les rend vulnérables à des décisions peu fiables, voire dangereuses. Cette thèse s’inscrit dans le domaine émergent de l’électronique bayésienne, qui exploite l’aléa intrinsèque de nanodispositifs innovants pour effectuer des calculs bayésiens directement au niveau du matériel. En encodant les distributions de probabilité au sein même du hardware, ces dispositifs permettent une estimation naturelle de l’incertitude, tout en réduisant la complexité computationnelle par rapport aux architectures déterministes classiques. Des travaux antérieurs ont déjà démontré le potentiel des memristors pour l’inférence bayésienne. Cependant, leur endurance limitée et leur consommation énergétique élevée lors de la programmation représentent des obstacles majeurs à l’apprentissage embarqué sur puce. Dans cette thèse, il est proposé d’exploiter des composants mémoires emergents ferroelectric memory field-effect transistors (FeMFETs) pour l’implémentation de réseau de neurones bayésiens.Offre financée
- Type de financement
- CEA
Dates
Date limite de candidature 30/11/25
Durée36 mois
Date de démarrage01/10/25
Date de création23/10/25
Langues
Niveau de français requisAucun
Niveau d'anglais requisAucun
Possibilité de faire sa thèse en anglais
Divers
Frais de scolarité annuels391 € / an
Contacts
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