Description

La course pour construire un ordinateur quantique s'intensifie ! Ces systèmes de pointe fonctionnent à des températures inférieures à 4 K pour préserver les états quantiques essentiels au calcul. Pour assurer un contrôle et une détection efficaces, les circuits électroniques conventionnels doivent fonctionner de manière fiable à des températures cryogéniques, à proximité immédiate du processeur quantique, réduisant ainsi la complexité des câblages et améliorant les performances. Au-delà de l'informatique quantique, d'autres domaines—tels que l'exploration spatiale, le calcul haute performance ou la physique des hautes énergies—nécessitent également des circuits capables de fonctionner en dessous de 100 K. Au cours de cette thèse, vous effectuerez la caractérisation et la modélisation électriques en radiofréquence (RF) de transistors bipolaires à hétérojonction silicium-germanium (SiGe HBT) dans un environnement cryogénique, contribuant à une meilleure compréhension de leur comportement et optimisant leur potentiel pour des applications dans des conditions extrêmes. Les objectifs sont doubles : 1. Caractérisation et modélisation électriques en RF : • Réaliser des mesures électriques en RF de SiGe HBT à température cryogénique. • Développer des modèles précis pour décrire leur comportement dans des environnements cryogéniques. 2. Optimisation des amplificateurs à faible bruit (LNA) : • Étudier le comportement à basse température des dispositifs passifs et actifs individuels composant un LNA. • Optimiser la conception de ces LNAs pour des applications cryogéniques.