Transformations topotactiques dans les couches minces doxydes : ingénierie à léchelle atomique des nickelates et des phases de Carpy-Galy
J-7
Doctorat Doctorat complet
- Disciplines
- Physique de la Matière Condensée
- Laboratoire
- LABORATOIRE DE PHYSIQUE DES SOLIDES
- Institution d'accueil
- Université Paris-Saclay GS Physique
- Ecole doctorale
- Physique en Ile de france - ED 564
Description
Les transformations topotactiques dans les oxydes complexes de métaux de transition constituent une voie puissante pour ajuster les propriétés fonctionnelles tout en préservant le cadre cristallographique sous-jacent [1]. En modifiant sélectivement la stchiométrie en oxygène, ces réactions peuvent induire des changements majeurs de la structure cristalline ainsi que des états fondamentaux électroniques et magnétiques, tout en conservant lorientation cristalline épitaxiale globale de la couche mince. Cela rend ces transformations de phase particulièrement attractives pour la conception de nouvelles phases de matériaux inaccessibles par les méthodes de synthèse classiques, ainsi que pour le contrôle des propriétés grâce au caractère réversible de ces réactions.Ce projet de thèse portera sur deux systèmes doxydes représentatifs présentant des transitions topotactiques distinctes pilotées par loxygène. Le premier est la famille des nickelates de terres rares (R), où la réduction de la phase pérovskite RNiO₃ vers la phase à couches infinies RNiO₂ (voir Figure 1) transforme un métal corrélé en un film supraconducteur [2,3]. Le second concerne les phases lamellaires de CarpyGaly A₂B₂O₇ (avec A = Sr, La et B = Ti, Nb, Ta) [4], qui sont isolantes et ferroélectriques, mais peuvent être transformées en phases pérovskites ABO₃ métalliques et paraélectriques.
Lobjectif du projet est de comprendre et dingénier ces transformations à léchelle atomique dans des couches minces épitaxiales. Les éléments clés incluront le contrôle précis des conditions de croissance, où la teneur en oxygène, létat de contrainte et lépaisseur peuvent être finement ajustés. Une question centrale sera de comprendre comment la suppression de loxygène se propage à travers lépaisseur du film, dans quelle mesure la réaction est complète, et quels défauts locaux, fautes dempilement ou configurations intermédiaires accompagnent la transition. Ces transformations seront analysées en lien avec lévolution des propriétés physiques des couches minces, avec un accent particulier sur lémergence de domaines supraconducteurs dans les nickelates et sur le potentiel dingénierie du magnéto-transport dans les phases de CarpyGaly.
Compétences requises
Formation académique : Master (ou équivalent) en physique, science des matériaux, chimie, nanosciences ou domaines connexes. Compétences techniques : Une expérience préalable en microscopie électronique en transmission, microscopie à sonde locale, méthodes spectroscopiques et/ou techniques de caractérisation structurale telles que la diffraction des rayons X (XRD) et la cartographie de lespace réciproque (RSM) est appréciée. Une familiarité avec les oxydes complexes de métaux de transition, la caractérisation magnétoélectrique, ainsi que les méthodes de dépôt sous vide telles que lablation laser pulsée ou la pulvérisation cathodique constituera un atout. Compétences comportementales : Motivation et volonté de mener un travail expérimental, sens de lorganisation, persévérance et esprit déquipe.Bibliographie
[1] Z. Meng et al., Advanced Functional Materials, 33, 2305225 (2023).[2] A. Gutierrez-Llorente et al., Advanced Science 11, 2309092 (2024).
[3] D. Zhang et al., Communications Materials 6, 293 (2025).
[4] E. Gradauskaite et al., Advanced Materials, 2416963 (2025).
[5] A. Raji et al., Advanced Functional Materials, 34, 2409930 (2024).
Mots clés
Oxydes complexes de métaux de transition, Ferroelectricité, STEM, EELS, supraconductvitéOffre boursier / non financée
Ouvert à tous les pays
Dates
Date limite de candidature 01/09/26
Durée36 mois
Date de démarrage01/10/26
Date de création07/04/26
Langues
Niveau de français requisAucun
Niveau d'anglais requisAucun
Divers
Frais de scolarité annuels400 € / an
Contacts
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