Description

Rejoignez le CEA-Leti et le CROMA pour analyser en profondeur les jonctions d'une nouvelle technologie. Nos transistors sont fabriqués avec un budget thermique limité pour l'intégration séquentielle en 3D, ce qui rend l'activation des dopants très difficile. Notre équipe vous apportera son soutien technique et scientifique pour mener à bien ces travaux. Certaines données sont déjà disponibles et n'attendent plus que votre analyse.
Au cours de ce doctorat, vous aurez l'occasion de caractériser en profondeur
Une idée initiale (simulation, bibliographie, TCAD) 20 %
La Compréhension des procédés (implantation, SPER) 10 %
Accompagnée de :
La gestion de l'intégration et de la fabrication en salle blanche 10 %
La caractérisation (physique et électrique : bruit, DLTS…) 50 %
Et la valorisation (présentations, article) 10 %
Ce doctorat offre une chance unique d'être à la pointe de l'innovation technologique et d'avoir un impact significatif dans le domaine du SOI avancé. Rejoignez-nous et faites le premier pas vers une carrière passionnante dans la recherche et le développement !

Compétences requises

Avec une formation en microélectronique ou en nanotechnologies, vous êtes curieux.se de découvrir l'intégration de nouveaux procédés, vous n'avez pas peur des équations et vous aimiez les cours sur les semi-conducteurs à l'école. Vous aimez résoudre des casse-têtes complexes et appréciez de collaborer avec d'autres professionnel.le.s pour trouver des solutions innovantes.

Bibliographie

[1] P. Batude et al., 'Opportunities and challenges brought by 3D-sequential integration,' 2021 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC), Kyoto, Japan, 2021, pp. 1-1, doi: 10.1109/IITC51362.2021.9537356.
[2] S. Reboh et al., 'NanoStack Transistor Architecture for CMOS 7A Node and Beyond,' 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), Kyoto, Japan, 2025, pp. 1-3, doi: 10.23919/VLSITechnologyandCir65189.2025.11074866.
[3] F. Guyader et al., '3-Tier BSI CIS with 3D Sequential & Hybrid Bonding Enabling a1.4um pitch,106dB HDR Flicker Free Pixel,' 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2022, pp. 37.4.1-37.4.4, doi: 10.1109/IEDM45625.2022.10019432.
[4] K. Nakazawa et al., '3D Sequential Process Integration for CMOS Image Sensor,' 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2021, pp. 30.4.1-30.4.4, doi: 10.1109/IEDM19574.2021.9720563.
[5] D. Bosch et al., 'High Performance 2.5V n&p 400°C SOI MOSFETs: a Breakthrough for versatile 3D Sequential Integration,' 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2025, pp. 1-4, doi: 10.1109/IEDM50572.2025.11353514
[6] D. Bosch et al., 'Breakthrough Processes for Si CMOS Devices with BEOL Compatibility for 3D Sequential Integrated more than Moore Analog Applications,' 2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), Honolulu, HI, USA, 2024, pp. 1-2, doi: 10.1109/VLSITechnologyandCir46783.2024.10631398.

Mots clés

MOSFET, Caractérisation électrique, Modélisation physique, Physique des semi-conducteurs, Défauts dans les semi-conducteurs, Microelectronique