Characterisation de jonctions de transistors SOI réalisés à bas budget thermique
J-97
Doctorat Doctorat complet
- Disciplines
- Laboratoire
- Laboratoire des Transistors Avancés Département Composants Silicium (LETI)
- Institution d'accueil
- UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
Description
Rejoignez CEA-Leti et CROMA pour analyser en profondeur les jonctions d'une nouvelle technologie. En effet, nos transistors sont fabriqués sous un budget thermique restreint pour une intégration séquentielle 3D, ce qui rend l'activation des dopants très difficile ! Notre équipe vous soutiendra techniquement et scientifiquement pour mener à bien ce travail. Certaines données sont déjà disponibles et n'attendent que votre analyse. Au cours de cette thèse, vous aurez l'opportunité de réaliser toutes ces taches: De l'idée (simulation, bibliographie, TCAD) 20% Compréhension des processus (implantation, SPER) 10% Gestion de l'intégration et de la fabrication en salle blanche 10% Caractérisation (physique et électrique : bruit, DLTS…) 50% Valorisation (présentations, articles) 10% Cette thèse offre une chance unique d'être à la pointe de l'innovation technologique et de faire un impact significatif dans le domaine de la SOI avancée. Rejoignez nous et faites le premier pas vers une carrière passionnante dans la recherche et le développement ! Avec un parcours en microélectronique ou en nanotechnologies, vous êtes curieux de l'intégration de nouveaux processus, vous n'avez pas peur des équations et vous avez aimé les cours sur les semi-conducteurs à l'école. Vous voulez résoudre des énigmes complexes et aimez collaborer avec les autres pour trouver des solutions innovantes.Offre financée
- Type de financement
- CEA
Dates
Date limite de candidature 30/11/26
Durée36 mois
Date de démarrage01/10/26
Date de création22/04/26
Langues
Niveau de français requisAucun
Niveau d'anglais requisAucun
Possibilité de faire sa thèse en anglais
Divers
Frais de scolarité annuels391 € / an
Contacts
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